Samsung 512GB eUFS 3.1 投产 传 Galaxy Note 20 率先采用

日期:2020-03-20

Samsung512GBeUFS3.1投产传GalaxyNote20率先采用

智能手机的运算能力越来越高,下载速度亦越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,方可以发挥每个环节的最高效能。日前 Samsung 就宣布开始大规模投产 512GB 的 eUFS 3.1 储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。

Samsung 表示 512GB 的 eUFS 3.1 储存芯片,连续写入速度将超过 1,200MB/s,比起现时相同容量 eUFS 3.0 储存芯片的 400MB/s,速度快达 3 倍。同时 512GB 的 eUFS 3.1 储存芯片的随机读写表现为 100,000 / 70,000 IOPS,亦较 eUFS 3.0 的产品快 60%。Samsung 指新储存芯片只需 90 秒就能完成 100GB 的文件传输,旧款要 4 分钟以上,特别适合用于储存 8K 高解像度影片。

有指 Samsung 可能会将 512GB 的 eUFS 3.1 储存芯片,率先应用于下半年的旗舰手机 Galaxy Note 20 系列;之后 Samsung 还会陆续生产和供应 128GB 和 256GB 的 eUFS 3.1 储存芯片。

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